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　　全球电子束光刻系统（Electron Beam Lithography System (EBL)）的主要参与者包括Raith、Vistec、JEOL、Elionix和Crestec。全球前三大制造商的份额超过70%。日本是最大的市场，占有率约为48%，其次是欧洲和北美，占有率分别约为34%和12%。就产品而言，高斯光束EBL系统是最大的细分市场，占有率超过70%。在应用方面，应用最多的是工业领域，其次是学术领域。

　　RaithRaith是纳米制造、电子束光刻、FIBSEM纳米制造、纳米工程和逆向工程应用的先进精密技术制造商。客户包括参与纳米技术研究和材料科学各个领域的大学和其他组织，以及将纳米技术用于特定产品应用或生产复合半导体的工业和中型企业。Raith成立于1980年，总部位于德国多特蒙德，拥有超过250名员工。公司通过在荷兰、美国和亚洲的子公司，以及广泛的合作伙伴和服务网络，与全球重要市场的客户密切合作。Raith主要有五款EBL产品，EBPG Plus、Voyager、RAITH150 Two、eLINE Plus和PIONEER Two。

　　PIONEER TWO 集成了电子束曝光及成像分析双功能，是高校和科研人员的理想选择。从理念上，PIONEER Two是一个全新的独特的设备，真正意义上实现了电子束曝光和成像的EBL/SEM结合。PIONEER Two将专业电子束曝光设备和电子成像系统所有的功能融合成一套独立的成套系统。多功能性、稳定性、用户友好性操作，使PIONEER Two系统适合于不仅追求纳米结构的制作及再观察功能，且需要材料及生命科学领域中对化学成分及结构进行分析的所有用户。

　　JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。

　　ElionixELIONIX成立于1975年，是一家从事纳米级加工与检测的中小企业。ELIONIX拥有资本金2亿7000万日元，目前共有员工100名。成立40余年，ELIONIX专注于电子束光刻、电子束硬盘刻蚀、超微材料分析等技术的研发，获奖无数，并成为以上技术市场中的隐形冠军。2004年以后，ELIONIX积极进军海外市场，目前客户遍布于美国，欧洲，中国等知名大学（哈佛、麻省理工学院，清华、北大等）和公共研究所。

　　爱德万测试（ADVANTEST）的F7000 电子束光刻系统具有高通量和卓越的分辨率，并能够在1X-nm技术节点的晶圆上创建非常精确和平滑的纳米图案。其字符投影、直接写入技术使其非常适合作为研发和原型设计的设计工具，以及生产小批量多类型设备的 LSI 生产线 支持各种材料、尺寸和形状的基板，包括纳米压印模板和晶圆，并针对各种应用进行了优化，例如高级 LSIs、光子学、MEMS 和其他纳米工艺。此外，用户还可以选择最适合其需求的配置，无论是独立配置还是在线 能够支持从研发到批量生产的各种应用。

　　IMS Nanofabrication是NuFlare（东芝）的竞争对手，但东芝的工具不太精确，而且速度较慢。此外，NuFlare的多束掩模写入器在IMS Nanofabrication研发多年后才开始进入市场。超过90%的生产EUV掩模是使用IMS Nanofabrication 的多光束掩模写入器制造的。如果没有IMS Nanofabrication的掩模写入器，所有EUV工艺技术都将陷入停顿。EUV工艺技术被用于7nm以来的所有台积电、英特尔的工艺节点。

　　株式会社CRESTEC于1995年在东京成立以来一直专注于EBL技术。作为世界上为数不多的EBL设备专业制造商之一，在世界范围内EBL光刻机的销售实绩已经超过100台。其制造的电子束光刻机以其独特的专业技术，超高的电子束稳定性，电子束定位精度以及拼接套刻精度赢得了世界上著名科研机构以及半导体公司的青睐。其中 CABL 系列更是世界上仅有的产品之一。通过日本丰港株式会社在东亚及北美地区国家开展业务，实现产品知名度提升也会用户解决了实际需求。

　　Vistec的光刻系统是以可变形状光束（VSB）原理为主，其中使用强度均匀分布的可变形状和尺寸的电子束在基材上光刻光阻图案（也称为曝光或写入）。此外可使用更复杂的电子束形状即客制固定形状进行曝光，特别是使用这些技术能加快电子束的写入速度。基于可变异形光束（VSB）的原理，这些系统可用于各种直接结构化，例如在硅和化合物半导体晶圆上直接生成结构，用于光掩模的生产以及集成光学和光子学的应用。可变形状光束光刻系统主要用于应用研究、掩模和玻璃基板市场以及半导体行业。

　　Vistec的电子束光刻系统在半导体制造中被广泛应用，用于芯片的制备和加工，包括先进的逻辑芯片、存储芯片、传感器芯片等。目前主要型号包括VISTEC SB3050-2和SB254。Vistec SB3050-2 是一款基于可变形状光束的高分辨率电子束光刻系统，可实现 300 mm 晶圆和 9 英寸掩模的完全曝光。Vistec SB254是一款通用的 VSB 电子束光刻系统，可完全曝光最大200 mm晶圆和 7”掩模。

　　1976年12月，以电子束掩膜光刻设备为中心的半导体制造设备业务的技术从株式会社东芝移交给东芝机械株式会社。1984年6月，公司与株式会社东芝综合研究所联合完成Variable Shaped Beam（可变形电子光束）型首台机——电子束掩膜光刻设备“EBM-130V”。1998年，通过与株式会社东芝的联合项目，开发Variable Shaped Beam（可变形电子光束）型电子束掩膜光刻设备EBM-3000，并进行产品化，成为了首台商用机，对应电路线nm。开发并投产能够应对90nm制程的电子束掩膜光刻设备EBM-4000，并进行产品化（至此为东芝机械株式会社半导体设备事业部）。2002年，株式会社紐富来科技全面继承东芝机械株式会社半导体设备事业部的业务，并开始开展业务。2004年，NuFlare开发应对电路线年，开发并投产EBM-7000（应对32nmhp制程）。2011年，开发并投产EBM-8000（应对14nmTN/22nmhp制程）。2013年，开发并投产EBM-9000（应对10nmTN制程）。2019年，开发并投产EBM-9500PLUS（应对TN5nm/7nm+制程），并开发EBM-8000P（应对14/16nm、22-45nmhp制程）。2022年，开发并投产MBM™-2000（应对3nmTN制程）。

　　JC Nabity自上世纪八十年代成立以来，美国JC Nabity Lithography Systems公司一直致力于基于商品SEM、STEM或FIB的电子束光刻装置的研制，其研发的纳米图形发生器系统（Nanometer Pattern Generation System纳米图形发生系统，简称NPGS，又称电子束微影系统）技术在全球同类系统中属于翘楚之作，世界各地越来越多的用户包括大学、科研机构及政府实验室在使用NPGS进行EBL研究工作.

　　IBM20世纪70年代，单点高斯束电子束光刻系统开始逐渐替代缓慢的光机械图形发生器，成为半导体工业掩模制备的首选技术。同一时期，IBM公司开创了形状束的概念，后续进一步提出并实现了目前广泛应用于产业界的变形束电子束光刻技术，使得电子束光刻的加工效率得到极大的提高。但是由于电子之间的库伦相互作用使得电子束束斑模糊，限制了电子束束流和加工效率的进一步提高。因此为了减少库伦相互作用，后续20世纪90年代IBM与尼康合作提出了基于掩模的多束平行电子束投影曝光方案：PREVAIL（具有可变轴浸没透镜的电子束缩小成像技术）。

　　子场，经电子透镜产生4∶1缩小图像；在片子上形成250μm2图形，电子束经曲线可变轴电子透镜（CVAL）在掩模平面上可偏移±10mm，在片子上则为±2.5mm，而掩模和片子同时连续移动，形成整个电路图形的曝光。在PREVAIL样机上用75 KV加速电压，用700nm厚的光胶，做80nm间隔线mm，曝光结果证实：偏移束和不偏移束形成的图像很少有差异，进一步证明了这种原理的可行性。Nikon的Kazuya Okamoto指出：现在光胶和掩模已不是主要问题，当前在致力于大的发射源、均匀的掩模照明和具有大子场、大偏移、对掩模热负荷小的低畸变透镜，这种电子束步进机将用于100nm曝光，并可延伸到50nm，产量>

　　20片/时（300mm片）。2003年，尼康向Selete交付了第一台基于PREVAIL技术的NCR-EB1A电子束步进器。它在单次拍摄中曝光了包含 1000 万像素的图案片段，并代表了大规模并行像素投影的首次成功演示。然而，随着浸没式光刻的快速实施，电子投影光刻（EPL）的机会之窗已经关闭，行业的兴趣已经转移到无掩模光刻（ML2）上。

　　在该项目在研究过程中，科研人员们还开发了3项具有自主知识产权的创新性关键技术。其中，开发的核心部件——以数字信号处理器(DSP)为核心，以Windows2000为操作系统的通用图形发生器，在自主研制数字信号处理和软件系统方面取得了重大突破。该图形发生器可接收GDSII、CIF、DXF图形数据，并可与SEM、扫描探针显微镜(SPM)、聚焦离子束(FIB)连接，实施曝光或加工，实现高精度图形拼接和套刻。在完成过程中，已将纳米通用图形发生器推向了市场，为我国纳米科技研究做出了重要贡献。

　　48所的电子束曝光技术,是在1969年北京696工程会战的基础上，内迁长沙而发展起来的。建所以来，一直发展以三束(电子束、离子束、分子束)为主的微细加工技术,研制束加工技术、薄膜技术、热工技术等设备和研究有关应用工艺。电子束曝光机，在1975年研制出第一代实用产品，1982年研制出第二代实用产品。这两代产品都于1975年、1982年先后交给电子部13所使用，为该所制作微波器件、GaAs场效应器件及其它微细线条图形起到了重要作用。而四十八所2005年通过验收的DB-8型号电子束曝光设备，对应0.13μm的半导体制程，处于国内先进水平。

　　为了研制具有自主知识产权的电子束光刻机整机，精密仪器研发团队在松山湖材料实验室完成一期项目研发并成立产业化公司后，带资回到实验室进入“滚动发展”模式：产业化公司东莞泽攸精密仪器有限公司与实验室共同投资2400万元进行第二阶段研发，目标是打造集科研与产业化为一体的电子束装备技术创新基地。通过深入开展电子束与新材料交叉领域的前沿技术研发，实现关键装备和共性技术的自主可控，切实提升我国在电子束加工与制备领域的整体创新能力和产业竞争力。